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高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺

发布时间:2017-12-6 14:46:21  中国污水博亿堂娱乐工程网

  申请日2017.08.07

  公开(公告)日2017.10.24

  IPC分类号C02F1/72; C02F1/76

  摘要

  本发明公开了一种高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,以二氧化氯溶液为氧化剂,以载铜活性炭催化剂为催化剂,组成催化氧化体系,对高COD污水进行催化氧化博亿堂娱乐。本发明能博亿堂娱乐高COD污水,且COD去除率高。

  权利要求书

  1.高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,以二氧化氯溶液为氧化剂,以载铜活性炭催化剂为催化剂,组成催化氧化体系,对高COD污水进行催化氧化博亿堂娱乐。

  2.根据权利要求1所述的高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,所述二氧化氯溶液由4%的HCl与2%的二氧化氯稳定溶液以1:1混合活化制得。

  3.根据权利要求2所述的高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,所述载铜活性炭催化剂以颗粒活性炭作为催化剂载体,采用浸渍法制得。

  4.根据权利要求3所述的高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,所述载铜活性炭催化剂的投加量为150g/L。

  5.根据权利要求4所述的高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,所述二氧化氯溶液的投加量为60ml/L。

  6.根据权利要求5所述的高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其特征在于,所述催化氧化博亿堂娱乐的时间为3h。

  说明书

  高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺

  技术领域

  本发明涉及高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺。

  背景技术

  污水博亿堂娱乐(wastewater treatment methods)就是利用物理、化学和生物的方法对污水进行博亿堂娱乐,使污水净化,减少污染,以至达到污水回收、复用,充分利用水资源。

  高COD污水的博亿堂娱乐,一直是比较困难的,需要设计适用的博亿堂娱乐工艺。

  发明内容

  本发明的目的在于提供一种高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其能博亿堂娱乐高COD污水,且COD去除率高。

  为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,以二氧化氯溶液为氧化剂,以载铜活性炭催化剂为催化剂,组成催化氧化体系,对高COD污水进行催化氧化博亿堂娱乐。

  优选的,所述二氧化氯溶液由4%的HCl与2%的二氧化氯稳定溶液以1:1混合活化制得。

  优选的,所述载铜活性炭催化剂以颗粒活性炭作为催化剂载体,采用浸渍法制得。

  优选的,所述载铜活性炭催化剂的投加量为150g/L。

  优选的,所述二氧化氯溶液的投加量为60ml/L。

  优选的,所述催化氧化博亿堂娱乐的时间为3h。

  本发明的优点和有益效果在于:提供一种高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,其能博亿堂娱乐高COD污水,且COD去除率高。

  具体实施方式

  下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

  本发明具体实施的技术方案是:

  一种高COD污水的二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐工艺,以二氧化氯溶液为氧化剂,以载铜活性炭催化剂为催化剂,组成催化氧化体系,对高COD污水进行催化氧化博亿堂娱乐。

  所述二氧化氯溶液由4%的HCl与2%的二氧化氯稳定溶液以1:1混合活化制得。

  所述载铜活性炭催化剂以颗粒活性炭作为催化剂载体,采用浸渍法制得。

  所述载铜活性炭催化剂的投加量为150g/L。

  所述二氧化氯溶液的投加量为60ml/L。

  所述催化氧化博亿堂娱乐的时间为3h。

  通过对催化剂用量的实验发现,随着载铜活性炭投加量的增加,COD去除率升高,当投加量达到150g/L时,COD的去除率达到50.97%,随后继续加大载铜活性炭用量,博亿堂娱乐效果趋于平缓,因此催化剂用量确定为150g/L。

  对废水进行二氧化氯催化氧化博亿堂娱乐,反应进行到3小时后,COD去除率逐渐趋于稳定,此时COD去除率达43.74%,此后继续增加反应时间,COD去除率提高幅度不大,因此确定3h为其反应适宜时间。

  废水在pH值不进行调节的情况下,活性炭投加量为150g/L、二氧化氯投加量为60ml/L、反应时间3h时,废水的COD去除率达到50.97%。

  催化剂经过8次连续使用,依然保持较高的COD的去除率,表明其可以循环使用且具有较好的催化活性。

  以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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